多晶硅是光伏和半導體產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料，由多個微小硅晶體無序排列組成的固態(tài)硅形態(tài)。與單晶硅的單向晶體結(jié)構(gòu)不同，其內(nèi)部晶粒取向各異（典型晶粒尺寸50-300納米），這種特殊結(jié)構(gòu)使其在特定應用場景展現(xiàn)出獨特優(yōu)勢。需要特別關(guān)注的是，雖然純度略低于電子級單晶硅（太陽能級純度6N-7N，即99.9999%-99.99999%），但其生產(chǎn)成本顯著降低30-40%，這使其成為光伏電池的主流原料。

在制備工藝方面，改良西門子法是目前主流生產(chǎn)技術(shù)，通過化學氣相沉積（CVD）將三氯氫硅在1100℃高溫下還原為硅棒。相較流化床法等新興技術(shù)，這種方法能實現(xiàn)更好的雜質(zhì)控制，尤其對硼、磷等關(guān)鍵摻雜元素的含量可精準調(diào)控至ppb級（十億分之一）。值得注意的是，近年來顆粒硅技術(shù)通過流化床反應器直接產(chǎn)出2-3毫米的硅顆粒，將電耗從傳統(tǒng)工藝的60kWh/kg降至25kWh/kg以下，代表著重要技術(shù)突破。

應用領(lǐng)域呈現(xiàn)明顯分化特征，太陽能級多晶硅（氧含量<1ppm）占據(jù)全球產(chǎn)量的85%以上，主要加工成156mm×156mm的硅片后制成光伏組件。而更高級別的電子級產(chǎn)品（缺陷密度<0.1/cm2）則用于制造功率器件、傳感器等半導體元件。隨著N型電池技術(shù)普及，對少子壽命大于500μs的高純多晶硅需求正在快速增長，這直接推動了區(qū)熔提純等新工藝的發(fā)展。

從市場格局來看，中國企業(yè)的產(chǎn)能已占全球80%以上，頭部廠商通過閉路循環(huán)生產(chǎn)工藝將綜合能耗降至90kWh/kg-Si以下。值得注意的技術(shù)趨勢包括：采用冷氫化技術(shù)將副產(chǎn)物四氯化硅轉(zhuǎn)化率提升至25%，以及應用定向凝固爐使鑄錠單爐產(chǎn)量突破1200kg。這些創(chuàng)新持續(xù)降低光伏發(fā)電的平準化成本（LCOE），推動全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型。