二碲化鉬是一種具有特殊層狀結(jié)構(gòu)的過渡金屬二硫族化合物，化學(xué)式為MoTe2。這種材料屬于二維材料家族，與石墨烯類似但展現(xiàn)出更豐富的電子特性。在自然界中，二碲化鉬以1T(三方晶系)和2H(六方晶系)兩種主要相態(tài)存在，其中2H相具有半導(dǎo)體特性(帶隙約1.0eV)，而1T相則表現(xiàn)出金屬性。

需要重點(diǎn)關(guān)注二碲化鉬在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用潛力，特別是其可調(diào)控的電子結(jié)構(gòu)和突出的光電性能。研究表明，通過施加應(yīng)變或電場(chǎng)，可以實(shí)現(xiàn)1T相與2H相之間的可逆轉(zhuǎn)變，這種相變特性使MoTe2成為相變存儲(chǔ)器和可重構(gòu)器件的理想候選材料。在77K低溫下，2H-MoTe2還表現(xiàn)出奇特的量子限域效應(yīng)和激子發(fā)光特性。

從制備工藝來看，二碲化鉬可通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、分子束外延(MBE)等方法獲得高質(zhì)量薄膜。工業(yè)級(jí)制備時(shí)通常采用碲化鉬粉末(純度99.99%)作為前驅(qū)體，在氬氣保護(hù)下進(jìn)行高溫反應(yīng)。最新研究發(fā)現(xiàn)，通過控制生長(zhǎng)溫度(650-800℃)和碲蒸氣分壓，可以精確調(diào)控產(chǎn)物的相組成和結(jié)晶質(zhì)量。

除了基礎(chǔ)研究?jī)r(jià)值，二碲化鉬在實(shí)際應(yīng)用方面展現(xiàn)出多重優(yōu)勢(shì)。其載流子遷移率可達(dá)200-500cm2/Vs，優(yōu)于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料。在柔性電子領(lǐng)域，MoTe2薄膜在彎曲半徑3mm條件下仍能保持穩(wěn)定性能，這使得它在可穿戴設(shè)備中具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。值得注意的是，這種材料對(duì)近紅外光(波長(zhǎng)900-1600nm)具有特殊響應(yīng)，為開發(fā)新型光電探測(cè)器開辟了新途徑。

隨著納米加工技術(shù)的進(jìn)步，二碲化鉬異質(zhì)結(jié)器件性能持續(xù)提升。通過原子層沉積(ALD)技術(shù)可制備出厚度精確到單原子層的MoTe2薄膜，其表面粗糙度(RMS)可控制在0.2nm以下。當(dāng)前研究熱點(diǎn)集中在利用其拓?fù)浣^緣體特性開發(fā)低功耗自旋電子器件，以及探索在量子計(jì)算中的潛在應(yīng)用。